线目标缓冲区生成的矢栅混合算法研究

线目标的缓冲区生成是缓冲区分析的基础和关键。结合栅格算法与矢量算法的优势,提出矢栅混合算法解决线目标的缓冲区生成问题。采用Douglas-Peuker方法对线目标进行重采样以加快缓冲区建立速度,用扫描线方法将线目标矢量数据转化为栅格形式,再采用膨胀原理生成缓冲区,通过扫描缓冲区栅格边界,提取有效矢量数据,进行求交运算,对缓冲区生成中的自相交多边形进行处理。     

基于缓存利用率检测的调度算法

针对目前卫星通信网络中虚拟信道调度与缓存管理算法间的孤立性,提出一种基于缓存利用率检测的调度算法。该算法通过对星上缓存利用率和紧迫度的分析,由调度函数指示完成相应虚拟信道的调度。采用OPNET对该调度算法进行仿真与对比分析,结果表明缓存利用率检测调度算法在保证一定吞吐量的前提下,能有效降低数据丢失率和延时,避免因不公平性导致的低优先级业务的“饿死”现象。     

B_Link树结构的缓存机制在数据集成中的应用

对于一些查询密集型的应用,查询操作的响应速度往往是决定其系统性能的关键因素,因此如何提高查询响应速度和系统吞吐率成为首要任务。经过实验证明,通过将查询数据缓存可以有效地解决这个问题。     

一种缓冲区溢出攻击的实时检测方法

根据攻击者通常通过修改函数返回地址或函数入口地址来改变程序流程的特点以及ELF文件的结构特点,在调用函数和函数调用返回时对某些特定信息进行处理,以检测出攻击行为。依靠动态程序监控平台pin提供的API函数来编写程序运行时监控工具,提出缓冲区溢出攻击实时检测的方法。实例分析表明该方法具有无需对现有的软、硬件系统进行修改的特点。     

磨头工作状态在线监测软件的设计与实现

为了实时检测磨头的压力从而指导计算机控制光学表面成形过程,在Visual C++2008平台下开发了磨头工作状态在线监测软件。使用无线通信模块及MSComm控件实现了PC与磨头的串口通信。然后,基于自定义通信协议及数据接收缓冲区完成数据的实时采集。使用队列数据结构以及双缓冲绘图方式结合多线程机制实现了高速数据的动态显示。最后,进行软件与硬件联合调试的实测实验。结果表明利用本软件可以稳定可靠地实现对磨头工作压力的监测。     

一种无片外电容LDO的稳定性分析

电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5～6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100μA到100mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 MHz     

面向存储系统的低功耗SoC设计

降低存储系统功耗是SoC设计中的重要问题,基于对程序执行与器件特性的分析,在SDRAM中引入数据缓冲区,给出针对多进程数据访问特性的实现方法,降低了程序运行时外存设备的功耗。在EMI中实现了指令FIFO,并给出定制方法,降低了程序运行时的SDRAM能耗。实验与仿真表明,该方法能有效降低程序运行时SoC存储系统整体功耗。     

基于插入WO3缓冲层并五苯有机场效应晶体管性能的研究

The pentacene-based organic field effect transistor （OFET） with a thin transition metal oxide （WO3） layer between pentacene and metal （AI） source/drain electrodes was fabricated. Compared with conventional OFET with only metal AI source/drain electrodes, the introduction of the WO3 buffer layer leads to the device performance enhancement. The effective field-effect mobility and threshold voltage are improved to 1.90 em2/（V.s） and 13 V, respectively. The performance improvements are attributed to the decrease of the interface energy barrier and the contact resistance. The results indicate that it is an effective approach to improve the OFET performance by using a WO3 buffer layer.     

石墨烯上生长GaN纳米线

采用金属Ga升华法在石墨烯/蓝宝石衬底上生长了高质量GaN纳米线,研究了不同的生长条件,如NH3流量、反应时间、催化剂和缓冲层等对GaN纳米线形貌的影响,采用扫描电子显微镜(SEM)对GaN纳米线进行表征.研究发现,在适当的NH3流量且无催化剂时,衬底上可以生长出粗细均匀的GaN纳米线.反应时间为5 min时,纳米线密集分布在衬底上,表面光滑.在石墨烯/蓝宝石上预先低温生长GaN缓冲层,然后升温至1 100℃进行GaN纳米线生长,获得了具有择优取向的GaN纳米线结构.研究表明,石墨烯和缓冲层对获得GaN纳米线结构有序阵列具有重要的作用.     

具有反馈式光缓存的OPS节点结构性能研究

对反馈式光分组交换节点的性能进行深入分析,并针对现有反馈式光分组交换节点结构的不足,提出一种改进的反馈式光分组交换节点结构,即SMOP-TWC交换结构.最后,本文使用仿真实验的方法对SMOP-TWC交换结构的性能进行深入研究.